据TheElec，三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存，该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产，不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造，负责后端的金属布线和表面处理工艺。（财联社）
第三十九条 有下列行为之一的，处十日以上十五日以下拘留；情节较轻的，处五日以下拘留：
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（三）多次殴打、伤害他人或者一次殴打、伤害多人的。
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在中华人民共和国船舶和航空器内发生的违反治安管理行为，除法律有特别规定的外，适用本法。，推荐阅读爱思助手下载最新版本获取更多信息